제품소개
Photo & EUV Mask
특징
1. HHT(Hitachi High-Tech)의 수정기술에 최신 Platform를 채용하여 10㎛FOV에서 15nm@3σ 이하의 수정 정밀도를 실현.
2. Probe Current의 변경이 가능하므로 High Throughput 실현.
3. 2차 Ion 및 전자의 EPM 기능으로 가공 Damage 최소화.
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SPEC |
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Ion Source & Beam Diameter |
Gallium, 30 kV, 5~100 pA / 30 nm @ 5 pA |
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FOV @ Repair &Scan Method @ Repair |
Multi FOV & Raster/Vector |
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Imaging for Defect Recognition&Drift Compensation |
Secondary Electron Image with Dynamic Range Enhancement /1-Point, Pattern Edge |
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End-Point Monitor @ Etching |
2ndary Ion, 2ndary electron |
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Current Switching Function |
Available |
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Repair Position Repeatability (on Mask) |
15 nm @ 7pA이하(10um-FOV) |
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SECS/GEM Communication |
Negotiable |