제품소개
Photo & EUV Mask
특징
1. Photolithography를 이용한 각인에 비해 초기투자 비용이 저렴하며 Accuracy 및 공정신뢰성이 높음.
2. FM가공 후에도 오염없이 Blank 표면상태가 유지되고 설치면적이 적음.
3. Fiducial Mark 가공에 특화된 Software 채용(SEMI-AUTO)
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SPEC |
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Ion Source & Beam Diameter |
Gallium, 15 - 30 kV, 5~500 PA |
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Scan Method |
Raster/Vector |
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FOV & Pixel |
10 - 640um / 1600 * 1600 Pixels |
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Image & Repair Method |
2ndary electron/ Sputtering |
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Mask Size |
6025 Mask |
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SMIF Pod |
RSP-200(Entegris) |
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SECS/GEM Communication |
Negotiable |