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Mask Repair 장치 |
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SIR7000 FIB |
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반도체 Device용 Photo Mask나 Reticles의 결함을 Focused Ion Beam을 이용 수정하는 65 nm Node대응 차세대 장치로 Binary 및 Phase Shift Mask등의 Photo Mask상의 미세한 결함이나 복잡한 형상의 결함을 고정밀도 Low Damage로 수정이 가능합니다. |
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① 수정 정밀도가 기존의 15 nm(3σ)에서 10 nm(3σ)로 향상
었습니다.
신형 Ion Beam 광학계의 채용에 의해 Ion Beam 조사위치의 안정성이 향상됨과 더불어 Beam을 극미세하게 인출시켜
미세한 결함 형상도 세부적으로 관찰할 수가 있습니다.
그 결과 Defect수정이 훨씬 용이해 졌습니다.
그리고 Chamber Unit에 항온 시스템을 탑재하여 온도 변화를
최소화시켜 온도로 인한 Drift를 절감 시켰습니다.
② 반도체 Lay Out 설계에 이용되는 EB의 CAD Data로부터 Defect 위치의 정상적인 Pattern을 추출하여 결함 위치에
Overlap시킴으로 정상적인 Pattern에 가까운 형상으로 수정할 수가 있습니다.
특히OPC등의 복잡한 형상을 수정할 때에 보다 정상적인 Pattern에 가까운 형상으로 수정할 수가 있습니다.
③ Photo Mask용 SMIF반송 System을 채용하였습니다. SMIF Pod에 의해 옮겨져 온 Photo Mask를 Clean도가 높은 반송
기구를 통해서 Chamber내에 반송할 수가 있기 때문에 Photo Mask에의 Particle(미세한 오염물)의 부착을 막을 수가
있습니다.
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Maximum 7.25 inches |
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Ga liquid metal ion source |
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Maximum 3OkV |
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10nm (3σ) |
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Secondary ion image, Secondary electron image |
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Under 260nm(140nm) |
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